SSD disk SAMSUNG 850 EVO 1TB
SSD disk, SSD, M.2 (SATA), M.2, čtení 540MB/s, zápis 500MB/s, TRIM, SMAR
Toto zboží bylo již ukončeno.
Podobné zboží
Co je 3D V-NAND a jak se liší od stávající technologie?
Jedinečná a inovativní architektura flashové paměti 3D V-NAND od společnosti Samsung představuje překonání omezení hustoty, výkonu aodolnosti dnešní běžné planární architektury NAND. 3D V-NAND totiž využívá 32 vrstev buněk nad sebou, místo aby zmenšovala rozměry buněk při snaze vměstnat je do pevně daného horizontálního prostoru. Ve výsledku poskytuje technologie vyšší hustotu a lepší výkon na menší ploše.
Optimalizujte práci s počítačem pomocí technologie TurboWrite bez konkurenční rychlosti čtení
Dosáhněte absolutního výkonu čtení / zápisu, abyste díky technologii TurboWrite od společnosti Samsung maximalizovali své pohodlí při práci s počítačem. V porovnání s modelem 840 EVO je model 850 EVO pro uživatele celkově rychlejší o přibližně 13%*, částečně díky dvojnásobné rychlosti náhodného zápisu**. Model 850 EVO má ve své třídě špičkový výkon rychlosti sekvenčního čtení a zápisu 540 MB/s, respektive 520 MB/s. Užijte si optimalizovaný náhodný výkon scénářů využití klientského PC ve všech hloubkách fronty (QD).
Zvětšete paměťové úložiště díky režimu RAPID
Model Samsung 850 EVO M.2 je rychlým počítačem. Díky nejnovějšímu softwaru Samsung Magician můžete aktivovat režim RAPID, který čerpá nevyužitou paměť PC (DRAM) a využívá ji jako úložiště vyrovnávací paměti o velikosti až 25% celkové kapacity DRAM. V režimu RAPID jsou pak díky dramatickému zvětšení úložiště rychlosti zpracování dat a náhodné QD až dvojnásobně vyšší*.
Odolnost a spolehlivost podpořená technologií 3D V-NAND
Model 850 EVO má zaručenou odolnost a spolehlivost díky dvojnásobnému celkovému počtu zapsaných bajtů (TBW) v porovnání s předchozí generací modelu 840 EVO*, a kromě toho v tomto segmentu nejlepší 5leté záruce. Díky vylepšení výkonu až o 30% umožňuje model 850 EVO trvalý výkon** a je proto jedním z nejspolehlivějších úložných řešení.
Energetická účinnost zajištěná pomocí 3D V-NAND
Model 850: Řada Evo přinesla u modelu 840 EVO funkci režim spánku pro 2 mW zařízení a nyní přináší model 850 EVO nejmodernější technologii 3D V-NAND, která spotřebovává o 50% méně energie než planární technologie 2D NAND a umožňuje tak o 25% větší energetickou účinnost v průběhu operací zápisu*.
Skupina Samsung je největší společnost v Jižní Koreji a 3. největší světový konglomerát podle tržeb, který řídí několik firem na světě. Skládá se z velkého množství mezinárodních společností, všechny jsou spojeny pod značkou Samsung, včetně Samsung Electronics, světově největší elektronické společnosti, Samsung Heavy Industries, jednoho z největších světových stavitelů lodí a Samsung Engineering & Construction, vedoucí globální stavitelské společnosti. Tyto tři multinacionální korporace tvoří základ skupiny Samsung a odráží její jméno - význam korejského slova Samsung je "tři hvězdy".
Od svého založení v roce 1969 ve městě Suwon v Koreji se společnost Samsung Electronics rozrostla v globální společnost, která zaujímá přední místo v oblasti informačních technologií a má po celém světě více než 200 poboček.
Společnost vyrábí domácí spotřebiče, jako jsou televizory, monitory, chladničky a pračky, a klíčová mobilní telekomunikační zařízení, jako jsou inteligentní telefony a tablety. Společnost Samsung je také nadále důvěryhodným výrobcem důležitých elektronických komponent, jako jsou například paměti DRAM a bezpaměťové polovodiče.
Společnost Samsung se zavazuje vytvářet a dodávat kvalitní produkty a služby, které zákazníkům po celém světě přinášejí více pohodlí a pomáhají jim vychutnávat si inteligentnější životní styl. Společnost Samsung je plně oddaná zlepšování globální komunity a neustále se snaží přinášet převratné inovace a vytvářet další přidanou hodnotu.
Technické parametry
* Kapacita: 1000 GB
* Formát: M.2
*
Rozhraní: SATA 6Gb/s
* Rozměry: 80.15 x 22.15 x 2.38 (mm)
*
Váha: Max 7g
* Paměť: Samsung 32 layer 3D V-NAND
*
Řadič: Samsung MGX Controller
* Cache: Samsung 512 MB Low
Power DDR3 SDRAM
* MTBF: 1.5 Mil.
Rychlost čtení a zápisu dat
*
Sekvenční čtení: Až 540 MB/sec
* Sekvenční
zápis: Až 500 MB/sec
* Náhodné čtení (4KB, QD32): Až 97,000
IOPS
* Náhodné zápis (4KB, QD32): Až 89,000 IOPS
*
Náhodné čtení (4KB, QD1): Až 10,000 IOPS
*
Náhodné zápis (4KB, QD1): Až 40,000 IOPS
Speciální
funkce
* TRIM
* S.M.A.R.T
* Auto Garbage Collection Algorithm
*
Šifrování: AES 256 bit Encryption (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted
drive)
* World Wide Name
* Device Sleep Mode Support
- Zatím zde nejsou žádné dotazy / komentáře.
- Produkt zatím nikdo neohodnotil.